Flash Memory2 V NAND(3D NAND)란 무엇일까? V NAND는 3D NAND라고도 부릅니다. 2D NAND와는 달리 세로 방향으로 쌓인 셀 구조를 가지고 있기 때문에 V NAND, 3D NAND라고 불리고 있는 것입니다. 3D NAND는 2D NAND보다 더 높은 밀도와 더 높은 성능을 제공하며 2D NAND에서 발생하던 문제를 해결하였습니다. V NAND 개발 및 2D-NAND에서 전환된 이유 V NAND는 삼성전자에서 개발되었으며, 2013년에 최초로 생산되었습니다. 최초에 개발된 V NAND는 24단으로 시작하였으며, 이후 36단, 48단으로 점차적으로 높아지다가 현재 판매되는 제품은 100단, 200단 이상 쌓은 제품입니다. V NAND(3D NAND)로 전환된 이유는 2D NAND의 공정 미세화가 진행될수록 터널링 효과가 일어나는 문제가 가장.. 2023. 7. 4. Flash Memory (플래시메모리)란 무엇일까? 플래시 메모리는 플래시 메모리를 발명하는 과정에서 메모리 내용이 지워지는 과정을 봤을 때 카메라 플래시를 떠올리면서 플래시 메모리라는 이름을 붙였다고 알려져 있습니다. Flash Memory (플래시메모리)란? 플래시 메모리란 무엇일까요? 플래시 메모리는 도시바에서 근무하던 마스오카 후지오 박사가 1984년도에 발명했고, 캘리포니아 새너제이에서 열렸던 IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM)에서 발표하였습니다. 발표내용을 보고 인텔에서 플래시 메모리의 잠재력을 보았으며, 1988년도에 상업용 NOR 타입의 최초의 플래시 메모리를 소개하게 되었습니다. 플래시 메모리(flash memory)라는 것은 전기적인 방법으로 데이터를 기록하고, 지우고 또다.. 2023. 5. 10. 이전 1 다음
