V NAND2 CTF 란? (Charge Trap Flash) CTF란 무엇일까요? Nand Flash Memory는 플로팅 게이트를 사용해 data를 저장하는 방식이 오랜 기간 사용되었습니다. 그러나 소자 미세화로 인한 주변 cell과의 간섭이 심해지면서 CTF 방식이 도입되었습니다. CTF 란? (Charge Trap Flash) 간단히 설명하면 CTF란 전하를 도체에 저장하지 않고 부도체에 Trap 시키는 방식입니다. 기존에는 게이트에 전압 가하면 바디에서 전자가 유전막을 통과한 뒤 Floating Gate로 주입되는 터널링 현상을 이용하여 프로그래밍을 했습니다. 그러나 위에서 잠깐 설명한 것처럼 세대가 넘어갈수록 소자 사이즈 미세화가 계속되면서 작아진 소자의 영향으로 자연스럽게 주변 셀들과의 간섭이 커지게 되었습니다. 소자가 작아지고 간섭이 커지다 보니 절연.. 2023. 7. 12. V NAND(3D NAND)란 무엇일까? V NAND는 3D NAND라고도 부릅니다. 2D NAND와는 달리 세로 방향으로 쌓인 셀 구조를 가지고 있기 때문에 V NAND, 3D NAND라고 불리고 있는 것입니다. 3D NAND는 2D NAND보다 더 높은 밀도와 더 높은 성능을 제공하며 2D NAND에서 발생하던 문제를 해결하였습니다. V NAND 개발 및 2D-NAND에서 전환된 이유 V NAND는 삼성전자에서 개발되었으며, 2013년에 최초로 생산되었습니다. 최초에 개발된 V NAND는 24단으로 시작하였으며, 이후 36단, 48단으로 점차적으로 높아지다가 현재 판매되는 제품은 100단, 200단 이상 쌓은 제품입니다. V NAND(3D NAND)로 전환된 이유는 2D NAND의 공정 미세화가 진행될수록 터널링 효과가 일어나는 문제가 가장.. 2023. 7. 4. 이전 1 다음
