hpc1 2나노 반도체, ASML 하이 NA EUV 개발 현황은? ASML 하이 NA EUV 장비는 2 나노 이하의 초미세공정 진행에 반드시 필요한 핵심 장비로 분류되고 있습니다. 빛 집광능력을 나타내는 렌즈의 개구수를 기존의 0.33에서 0.55까지 끌어올리면서 기존 EUV대비 초미세회로패턴의 해상도를 높인 것이 개선 포인트입니다. 하이 NA EUV의 장점 나노 수준의 공정이 많아지면서 EUV 장비를 이용한 패터닝 횟수가 지속적으로 늘어나고 있습니다. 하이 NA EUV는 앞에서 말씀드렸던 회로 패턴 해상도를 높여 초미세회로 구현에 더 효과적일 뿐만 아니라 전력효율도 개선되었습니다. 또한 하이 NA EUV는 기존대비 패터닝을 한차례 줄임으로써 에너지효율도 안정화시킬 수 있는 장점도 가지고 있습니다. 하이 NA EUV 현재 상황 하이 NA EUV는 2024년 초도품 생산.. 2023. 7. 3. 이전 1 다음
