반도체 8대공정 요약 정리

반도체는 깨끗한 기판에 설계된 패턴을 그린 뒤 깎고, 쌓고를 반복하면서 회로를 형성합니다.
패턴을 그리고 깎고 쌓는 과정을 8대 공정에서 진행하는 것입니다.

 

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반도체 8대 공정, 공정별 한 줄 정리

반도체 8대 공정을 공정별로 한줄 정리해 보겠습니다.
1. Photo : 설계된 회로 패턴을 Wafer에 그려 넣는 공정
2. Etch : 그려 넣은 회로에서 필요 없는 부분을 제거하는 공정
3. Diffusion : Wafer에 높은 온도로 불순물을 이동/확산시키는 공정

 
4. Ion implant : 소자가 원하는 특성을 가지도록 고전압으로 불순물을 주입하는 공정
5. CVD : 화학반응을 통해 Oxide나 Poly, Nitride를 증착시키는 공정
6. Metal : 화학반응을 통해 W이나 Cu 등을 증착시키는 공정

 
7. CMP : Slurry를 사용하여 표면 단차를 제거하는 공정
8. Cleaning : HF 등의 화학약품으로 불순물이나 산화막을 제거하는 공정
 
위의 8가지 공정이 반도체 제조과정에서 사용되는 공정입니다.
수백 수천번의 공정이 모두 8가지 공정을 반복하며 진행하게 되는 것이라고 보시면 될 것 같습니다.
 

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Fab Flow

앞에서 8대 공정에 대해 간단히 설명했습니다.
8대 공정 중 한 개 층(Layer)을 만들 때마다 기본적으로 진행하는 공정은 쌓고(Didfusion, CVD)>세정(Cleaning)>그리고(Photo)>파고(Etch)>세정하는 5개의 공정을 진행하고, 층을 쌓을 때마다 보통 5개의 공정이 지속적으로 반복됩니다.

5개의 공정이 진행되는 도중 중간중간 소자의 특성을 만들기 위한 Ion implant와 단차를 제거하기 위한 CMP, 배선을 만들기 위한 Metal이 진행되는 것입니다.

 '반도체 8대 공정' 카테고리에 각각의 공정에 대한 자세한 내용이 있습니다. 참고해 주시기 바랍니다.

 

반도체 8대공정 중 CMP 공정이란?